Aluminium Implantation in Germanium: Uphill Diffusion, Electrical Activation, and Trapping (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Aluminium Implantation in Germanium: Uphill Diffusion, Electrical Activation, and Trapping (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1143/APEX.5.021301 (literal)

Alternative label

• Impellizzeri G, Napolitani E, Boninelli S, Privitera V, Clarysse T, Vandervorst W, Priolo F (2012)
  Aluminium Implantation in Germanium: Uphill Diffusion, Electrical Activation, and Trapping
  in Applied physics express
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Impellizzeri G, Napolitani E, Boninelli S, Privitera V, Clarysse T, Vandervorst W, Priolo F (literal)

Pagina inizio

• 21301-1 (literal)

Pagina fine

• 21301-3 (literal)

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• http://apex.jsap.jp/link?APEX/5/021301/ (literal)

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• 5 (literal)

Rivista

• Applied physics express (Rivista)

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• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 2 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Univ Catania, MATIS IMM CNR, I-95123 Catania, Italy [ 2 ] Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy [ 3 ] Univ Padua, MATIS IMM CNR, I-35131 Padua, Italy [ 4 ] Univ Padua, Dipartimento Fis & Astron, I-35131 Padua, Italy [ 5 ] IMEC, B-3001 Louvain, Belgium [ 6 ] Katholieke Univ Leuven, Inst Kern Stralingsfys, B-3001 Louvain, Belgium (literal)

Titolo

• Aluminium Implantation in Germanium: Uphill Diffusion, Electrical Activation, and Trapping (literal)

Abstract

• This study presents a broad investigation on Al implantation in crystalline Ge. We show that up to 600 degrees C, Al does not diffuse and a remarkable electrical activation of similar to 1 x 10(20) cm(-3) is obtained. For higher annealing temperatures (from 700 to 800 degrees C), Al shows a significant diffusion towards the bulk and an unexpected uphill diffusion next to the surface, where the electrical measurements indicate a significant deactivation of Al. Both these latter observations are explained in terms of the presence of dopant traps, able to make immobile and electrically inactive the dopant next to the surface. (literal)

Prodotto di

• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Aluminium Implantation in Germanium: Uphill Diffusion, Electrical Activation, and Trapping" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per l'elettronica, l'energia e l'ambiente (MD.P05.026.001) (Modulo)
• Materiali e dispositivi nanostrutturati per la fotonica e la sensoristica (MD.P05.027.001) (Modulo)

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• Applied physics express (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Aluminium Implantation in Germanium: Uphill Diffusion, Electrical Activation, and Trapping" (Insieme di parole chiave)