Hydrogen release in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Hydrogen release in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/crat.201000632 (literal)

Alternative label

• Frigeri, Cesare 1, Serényi, M. 2, Khánh, N. Q. 2, Csik, A. 3, Erdélyi, Z. 4, Nasi, Lucia 1, Beke, D. L. 4, Boyen, H.-G. 5 (2011)
  Hydrogen release in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers
  in Crystal Research and Technology; WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (Germania)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Frigeri, Cesare 1, Serényi, M. 2, Khánh, N. Q. 2, Csik, A. 3, Erdélyi, Z. 4, Nasi, Lucia 1, Beke, D. L. 4, Boyen, H.-G. 5 (literal)

Pagina inizio

• 877 (literal)

Pagina fine

• 880 (literal)

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• Special Issue: Italian Crystal Growth Conference 2010 (ICG2010) ID_PUMA: cnr.imem/2011-A0-032 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/crat.201000632/abstract (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 46 (literal)

Rivista

• Crystal Research and Technology (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 8 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• [ 1 ] CNR IMEM Inst, I-43010 Parma, Italy; [ 2 ] Hungarian Acad Sci, Res Inst Tech Phys & Mat Sci, H-1525 Budapest, Hungary; [ 3 ] Hungarian Acad Sci, Inst Nucl Res, H-4001 Debrecen, Hungary; [ 4 ] Univ Debrecen, Dept Solid State Phys, H-4010 Debrecen, Hungary; [ 5 ] Hasselt Univ, Inst Mat Res IMO, Hasselt, Belgium (literal)

Titolo

• Hydrogen release in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers (literal)

Abstract

• A combined study of hydrogenated sputtered single a-Si and a-Ge layers and a-Si/a-Ge multilayers (MLs) has been carried out in order to establish the reasons of H release and associated structural degradation of the MLs when they are submitted to annealing. ERDA analysis of the single layers of a-Si and a-Ge shows that H escapes from the layer much more efficiently in a-Ge than in a-Si. This agrees with IR absorbance measurements on the MLs showing that the Ge-H signal disappears at a lower annealing time (for a given annealing temperature) than Si-H and Si-H2 do. The conclusion is drawn that the structural degradation of a- Si/a-Ge MLs primary starts with release of H in the Ge layers most probably because of the smaller binding energy of the H-Ge bond and the greater weakness of the Ge lattice. (literal)

Editore

• WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA (Editore)

Prodotto di

• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Hydrogen release in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Editore di

• WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA (Editore)

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• Crystal Research and Technology (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Hydrogen release in annealed hydrogenated a-Si/a-Ge multilayers" (Insieme di parole chiave)