Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/S0921-5107(02)00694-3 (literal)

Alternative label

• G. Barillaro; A. Diligenti; M. Piotto; M. Allegrini; F. Fuso; L. Pardi (2003)
  Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs
  in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology; Elsevier Sequoia, Lausanne (Svizzera)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G. Barillaro; A. Diligenti; M. Piotto; M. Allegrini; F. Fuso; L. Pardi (literal)

Pagina inizio

• 266 (literal)

Pagina fine

• 269 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 101 (literal)

Rivista

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1-3 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi 2, Pisa 56126, Italy Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, Universita` di Pisa, Via Diotisalvi 2, Pisa 56126, Italy Centro di Studio per Metodi e Dispositivi per Radiotrasmissioni, Via Diotisalvi 2, Pisa 56126, Italy INFM, Dipartimento di Fisica ''Enrico Fermi'', Universita` di Pisa, Via Buonarroti 2, Pisa 56127, Italy INFM, Dipartimento di Fisica ''Enrico Fermi'', Universita` di Pisa, Via Buonarroti 2, Pisa 56127, Italy INFM, Dipartimento di Fisica ''Enrico Fermi'', Universita` di Pisa, Via Buonarroti 2, Pisa 56127, Italy (literal)

Titolo

• Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs (literal)

Abstract

• Porous silicon (PoSi) LEDs are today under investigation for integration of optoelectronic silicon devices with standard microelectronic circuits. The electrical and optical properties of these devices depend on the anodization parameters (current density and time) of the PoSi formation process. However, a constant anodization current is generally used to fabricate the active PoSi layer of LEDs, and only few works exist in which a non-constant anodization current is reported. In this work, a study of the anodization current effects on the clectroluminescence (EL) spectra of PoSi LEDs having around 0.1% of external quantum efficiency is presented. Several anodization current waveforms (constant, linear, triangular, and trapezoidal) were used to fabricate layers with different mechanical and optical properties. EL spectra of fabricated devices are reported and discussed. (literal)

Editore

• Elsevier Sequoia (Editore)

Prodotto di

• Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni (IEIIT) (Istituto)

Autore CNR

• MASSIMO PIOTTO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di elettronica e di ingegneria dell'informazione e delle telecomunicazioni (IEIIT) (Istituto)

Autore CNR di

• MASSIMO PIOTTO (Persona)

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• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

Editore di

• Elsevier Sequoia (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Non-constant anodization current effects on spectra of porous silicon LEDs" (Insieme di parole chiave)