http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID32779
Sputtered Ge-Si heteroepitaxial thin films for photodetection in third window (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Sputtered Ge-Si heteroepitaxial thin films for photodetection in third window (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Feré M.; Lanata M.; Piccinin D.; Pietralunga S. M.; Zappettini A.; Ossi P. M.; Martinelli M. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
- In: Proceedings of the Ieee, pp. 270 - 272. Institute of Electral and Electronics Engineers, Inc, 2008. (literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- CoreCom, via G. Colombo, 81 20133 Milano - ITALY, CNR-IMEM, Parma, Politecnico di Milano, P.zza L. da Vinci, 32 20133 Milano-Italy (literal)
- Titolo
- Sputtered Ge-Si heteroepitaxial thin films for photodetection in third window (literal)
- Abstract
- DC-Pulsed Magnetron Sputtering (PMS) allows to produce heteroepitaxial p-type Germanium thin films on 6 Silicon wafers. Integrated p-n photodiodes, based on DC-PMS deposited Ge/Si heterojunctions, feature flat
responsivity over the whole third communication window. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
- Insieme di parole chiave
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