Ultra low-level ion implantation damage detected by p-n junctions biased above breakdown (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Ultra low-level ion implantation damage detected by p-n junctions biased above breakdown (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Sciacca E., Lombardo S., Patti D., Sanfilippo D., Di Franco C., Ghioni M., Zappa F., Rimini E., Cova S. (2002)
  Ultra low-level ion implantation damage detected by p-n junctions biased above breakdown
  in Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Sciacca E., Lombardo S., Patti D., Sanfilippo D., Di Franco C., Ghioni M., Zappa F., Rimini E., Cova S. (literal)

Pagina inizio

• 431 (literal)

Pagina fine

• 431 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 82-84 (literal)

Rivista

• Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Ultra low-level ion implantation damage detected by p-n junctions biased above breakdown (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena (Rivista)