Transport anisotropy in In0.75Ga0.25As two-dimensional electron gases induced by indium concentration modulation (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Transport anisotropy in In0.75Ga0.25As two-dimensional electron gases induced by indium concentration modulation (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Ercolani, D; Biasiol, G; Cancellieri, E; Rosini, M; Jacoboni, C; Carillo, F; Heun, S; Sorba, L; Nolting, F (2008)
  Transport anisotropy in In0.75Ga0.25As two-dimensional electron gases induced by indium concentration modulation
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ercolani, D; Biasiol, G; Cancellieri, E; Rosini, M; Jacoboni, C; Carillo, F; Heun, S; Sorba, L; Nolting, F (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 77 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Ercolani, Daniele; Carillo, Franco; Heun, Stefan; Sorba, Lucia] INFM, CNR, NEST, I-56126 Pisa, Italy; [Ercolani, Daniele; Biasiol, Giorgio] INFM, Lab TASC, CNR, I-34012 Trieste, Italy; [Cancellieri, Emiliano; Rosini, Marcello; Jacoboni, Carlo] Univ Modena, Dipartimento Fis, I-41100 Modena, Italy; [Cancellieri, Emiliano; Rosini, Marcello; Jacoboni, Carlo] INFM, CNR S3, I-41100 Modena, Italy; [Carillo, Franco; Heun, Stefan; Sorba, Lucia] Scuola Normale Super Pisa, I-56126 Pisa, Italy; [Nolting, Frithjof] Paul Scherrer Inst, Swiss Light Source, CH-5232 Villigen, Switzerland (literal)

Titolo

• Transport anisotropy in In0.75Ga0.25As two-dimensional electron gases induced by indium concentration modulation (literal)

Abstract

• A pronounced anisotropy is observed in the low-temperature mobility of a two-dimensional electron gas formed in an In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.75As quantum well grown on a GaAs substrate. We show that the mobility differences along [011] and [01 (1) over bar] directions are mainly due to In concentration modulations. Spatially resolved photoemission measurements show an asymmetric indium concentration modulation, correlated with the surface morphology observed by atomic force microscopy. A theoretical model considering conduction band energy modulations agrees well with the transport measurements. The identification of this mobility limiting mechanism allowed us to design and grow higher quality two-dimensional electron gases, needed for high indium content InGaAs device fabrication. (literal)

Prodotto di

• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)
• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.001) (Modulo)
• Trasporto mesoscopico in nanostrutture ibride (MD.P06.023.001) (Modulo)

Autore CNR

• DANIELE ERCOLANI (Persona)
• MARCELLO ROSINI (Unità di personale esterno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• CARLO JACOBONI (Unità di personale esterno)
• LUCIA SORBA (Persona)
• STEFAN HEUN (Persona)
• FRANCO CARILLO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Transport anisotropy in In0.75Ga0.25As two-dimensional electron gases induced by indium concentration modulation" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• STEFAN HEUN (Persona)
• MARCELLO ROSINI (Unità di personale esterno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• CARLO JACOBONI (Unità di personale esterno)
• LUCIA SORBA (Persona)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID12759
• DANIELE ERCOLANI (Persona)
• FRANCO CARILLO (Persona)

Prodotto

• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.001) (Modulo)
• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)
• Trasporto mesoscopico in nanostrutture ibride (MD.P06.023.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Transport anisotropy in In0.75Ga0.25As two-dimensional electron gases induced by indium concentration modulation" (Insieme di parole chiave)