GaN4AP - Gallium Nitride for Advanced Power Applications (DFM.AD001.390)

Thematic area

Physical sciences and technologies of matter

Project area

Structure responsible for the research project

Institute for microelectronics and microsystems (IMM)

Project manager

FABRIZIO ROCCAFORTE
Phone number: 055-5968226
Email: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it

Abstract

L'obiettivo principale del progetto GaN4AP è lo sviluppo sistemi elettronici di potenza basati su GaN con perdite di energia prossime allo zero. Il progetto si articola su quattro grandi obiettivi:
- Sviluppare convertitori basati su GaN HEMTs allo stato dell'arte, con efficienza del 99%.
- Sviluppare materiali innovativi quali AlScN, per HEMTs in grado di operare a correnti e densità di potenza circa doppie rispetto al tradizionale AlGaN.
- Sviluppare MOSFET verticali in GaN da 1200V realizzati su materiale bulk di alta qualità cristallina
- Sviluppare un nuova soluzione integrata in GaN (STi2GaN) sia come System in Package (SiP) che monolitica, per applicazioni automotive.
Nel progetto, il gruppo di ricerca del CNR-IMM di Catania si occupa principalmente della validazione di GaN bulk tramite diodi Schottky, e dello studio di nuove eterostrutture AlScN/GaN e di fenomeni di instabilità di soglia in HEMT commerciali con gate in p-GaN.

Start date of activity

01/06/2021

Keywords

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Last update: 18/01/2025