DefConIV CARIPLO Bollani (DFM.AD003.110)

Area tematica

Scienze fisiche e tecnologie della materia

Area progettuale

Struttura responsabile del progetto di ricerca

Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN)

Responsabile di progetto

MONICA BOLLANI
Telefono: 031-3327356
E-mail: monica.bollani@ifn.cnr.it

Abstract

In questo progetto si è studierà l'ingegnerizzazione della deforamzione controllata (stress) di materiali tecnologicamente rilevanti a base di silicio e germanio. Si sono utilizzate strutture top-down ottenute mediante nanolitografia elettronica per enfatizzare i campi di stress sui substrati sottostanti. Essendo la costante reticolare del Ge più grande quello di Si è possibile selezionare accuratamente la forma delle nanostrutture per indurre localmente una deformazione di compressione nel silicio o per uno stress tensile nel caso del germanio. L'introduzione di un elevato stress uniassiale nel silicio migliorerà le sue figure di merito come substrato per microelettronica. L' introduzione, invece, di un alto stress tensile biassiale nel germanio, ne cambierà la sua natura da semiconduttore a gap indirito a materiale a gap diretto, rivoluzionando le sue proprietà come materiale per l'optoelettronica e la fotonica.

Obiettivi

Obiettivo 1. Messa a punto della nanostrutturazione per il controllo del grado di rilassamento di leghe semiconduttori del IV gruppo.
Obiettivo 2. Realizzazione di membrane (oggetti freestangin) del gruppo IV per esasperarne la deformazione.
Obiettivo 3. messa a punto della nanostrutture per il controllo della deformazione nelle membrane semiconduttori del IV gruppo.

Data inizio attività

01/04/2012

Parole chiave

tensile strain, Germanium, free-standing semiconductor

Ultimo aggiornamento: 19/05/2024