ARISTOTELE - Advanced Research & Innovation in Solid-State Thermionic Emission for Light & Energy (DFM.AD001.305)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto di struttura della materia (ISM)
Responsabile di progetto
DANIELE MARIA TRUCCHI
Telefono: +390690672558
E-mail: daniele.trucchi@ism.cnr.it
Abstract
L'ingegnerizzazione dei difetti di semiconduttori ad ampia bandgap consiste nell'introduzione di difetti microscopici locali nel reticolo cristallino in condizioni altamente non lineari, indotte generalmente mediante impulsi laser ultracorti. Ciò ha già permesso lo sviluppo del "black diamond", un materiale con proprietà ottiche e fotoelettroniche enormemente migliorate rispetto ai film di diamante trasparente, pur mantenendo le eccellenti capacità di trasporto della carica. Lo sviluppo coinvolgerà anche altri semiconduttori ad ampia bandgap ai fini dello sviluppo di piattaforme optoelettroniche e sistemi per la conversione di energia solare ad alta temperatura.
Obiettivi
1) Sviluppo di convertitori di energia solare concentrata operanti ad alta temperatura.
2) Sviluppo dei componenti elementari di una piattaforma elettronica nel trasformare fotoni in carica e viceversa, trasportare fotoni e carica, emettere fotoni e carica.
3) Estensione dei risultati a semiconduttori ad ampia bandgap.
4) Preparazione di proposte di progetto per finanziare consistentemente l'attività negli anni a venire.
Data inizio attività
01/10/2020
Parole chiave
wide bandgap semiconductors, Energy conversion, Optoelectronics
Ultimo aggiornamento: 31/03/2025