REACTION - "First and euRopEAn siC eigTh Inches pilOt liNe" (DFM.AD001.319)
Area tematica
Scienze fisiche e tecnologie della materia
Area progettuale
Sensori multifunzionali e dispositivi elettronici (DFM.AD001)Struttura responsabile del progetto di ricerca
Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)
Responsabile di progetto
FABRIZIO ROCCAFORTE
Telefono: 0955968226
E-mail: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it
Abstract
L'obiettivo del progetto REACTION è lo sviluppo della prima linea pilota al mondo per la fabbricazione di dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC) su fette da 200 mm di diametro. Lo sviluppo della linea pilota presso la STMicroelectronics di Catania consentirà di aumentare la competitività Europea nei settori della smart energy e smart mobility, dove trovano applicazione i dispositivi che verranno fabbricati (convertitori compatti basati su SiC e operanti nel range 600-3500V).
Il progetto comprende l'intera catena produttiva, dalle aziende che sviluppano attrezzature di tipo industriale per il processing del SiC, alla presenza di centri di ricerca pubblici per le caratterizzazioni avanzate, agli end-user finali per la parte applicativa.
Il ruolo principale del CNR-IMM nel progetto sarà quello di fornire caratterizzazioni avanzate di tipo morfologico, strutturale ed elettrico, sia dei materiali (substrati ed epitassie) che dei singoli step di processo sviluppati (metallizzazioni, annealing, ossidazioni, impianti, etc.), al fine di validare le attrezzature ed ottimizzare i processi.
Obiettivi
All'interno del progetto il CNR-IMM contribuisce al conseguimento degli obiettivi nelle seguenti attività elementari:
Task 1.1 - Substrate development
Task 1.2 - Epitaxial SiC reactor development
Task 1.3 - SiC epitaxial process development
Task 2.4 - Pilot Line validation
Task 3.1 - Baseline process
Task 3.2 - Process options for 8" SiC planar PMOSFET
Task 4.2 - Wafer Finishing & Handling
Task 4.4 - Characterization, modelling and reliability
Data inizio attività
01/11/2018
Parole chiave
SiC, 200mm wafer, power devices
Ultimo aggiornamento: 23/03/2025