Sviluppo di processi e caratterizzazioni per dispositivi di potenza in SiC (DFM.AD001.373)

Area tematica

Scienze fisiche e tecnologie della materia

Area progettuale

Struttura responsabile del progetto di ricerca

Istituto per la microelettronica e microsistemi (IMM)

Responsabile di progetto

FABRIZIO ROCCAFORTE
Telefono: 0955968211
E-mail: fabrizio.roccaforte@imm.cnr.it

Abstract

All'interno di questo contratto vengono sviluppate le seguenti tematiche:

Capitolo 1 : Sviluppo di tecnologie per dispositivi in carburo di silicio
1.1   Formazione di contatti ohmici in siliciuro di nickel su SiC mediante laser annealing
1.2 Contatti metallici innovativi su SiC per diodi Schottky e JBS
1.3 Studio di interfacce SiO2/SiC e ossidi di gate del canale dei dispositivi MOSFET
1.4 Studio di nuovi dielettrici ad alta permittività per MOSFET in SiC depositati per ALD
Capitolo 2 : Sviluppo di processi di epitassia di carburo di silicio
2.1 Omoepitassia 4H-SiC
2.2 Eteroepitassia 3CSiC/Si
Capitolo 3: Caratterizzazioni di materiali per dispositivi in SiC
3.1 Caratterizzazione strutturale e profilo metrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia elettronica in trasmissione
3.2 Caratterizzazione strutturale e profilometrica di materiali e moduli tecnologici mediante microscopia a scansione di sonda
3.3 Studio della fattibilità di analisi SRP per profili di portatori in carburo di silicio
3.4 Caratterizzazione elettromeccanica su scala nano, micro e macroscopica

Obiettivi

L'obiettivo dell'attività del CNR-IMM è fornire supporto e consulenza ad STMicroelectronics tramite lo sviluppo di processi innovativi e l'applicazione di caratterizzazioni avanzate, al fine di ottimizzare le prestazioni dei dispositivi esistenti (MOSFET e JBS) e di porre le basi per lo sviluppo tecnologico di dispositivi di nuova generazione.

Data inizio attività

05/05/2021

Parole chiave

SiC, power devices

Ultimo aggiornamento: 24/03/2025